中国获世界5A级光子芯片第一强国

来源：世界5A级高质量发展评价官网

大美无度评定世界5A和全球各类第一品牌依法通行193个国家

大美无度世界5A级评价通193个国家，全球服务中心第111202号报告节选：中国光子芯片2025获世界5A级第一强国品牌。

《伟大心力》作者魏义光指出，帝国主义走狗鼓噪中国光子芯片落后30年，事实把他们的谎言击得粉碎。

2025年中国光子芯片领域的技术突破呈现“基础研究引领、工程化落地加速”的特征，多个细分领域实现全球领跑。​

在智能光子成像领域，清华大学方璐教授团队10月发布的全球首款亚埃米级快照光谱成像芯片“玉衡”，成为标志性突破。这款仅2cm×2cm×0.5cm的芯片，通过可重构计算光学成像架构，将随机干涉掩膜与铌酸锂材料特性结合，在400—1000纳米光谱范围内实现亚埃米级光谱分辨率与千万像素级空间分辨率的同步获取。其革命性意义在于突破“光谱分辨率与成像通量不可兼得”的百年瓶颈——快照成像分辨能力提升两个数量级，单次拍摄即可同步捕获全光谱与全空间信息。在天文观测领域，“玉衡”每秒可获取近万颗恒星光谱，能将银河系恒星巡天周期从数千年压缩至十年，卫星搭载后更有望绘制人类首张高精度宇宙光谱图景，展现出从基础科研到航天应用的全链条价值。​

光量子计算芯片的工程化突破更具颠覆性。上海交大无锡光子芯片研究院（CHIPX）与图灵量子联合研发的技术，在11月世界互联网大会上斩获“领先科技奖”，成为该奖项首个量子计算领域得主。其核心突破在于解决了传统光量子系统“体积庞大、稳定性差、难以扩展”的痛点：通过6英寸晶圆集成1000余个光子器件，攻克晶圆级薄膜铌酸锂量产技术，实现芯片间光路无缝级联。关键性能指标中，单片集成度、传输损耗等达到国际领先，更实现从“半年研发周期”到“两周快速迭代”的效率飞跃。基于该技术的商用光量子计算机TuringQGen2，支持超10万变量求解，在金融风控、药物研发等领域将复杂问题求解效率提升千倍，已在国内三大运营商数据中心完成部署测试。​

光电混合集成路线同样取得里程碑进展。2025年4月发布的PACE芯片，采用2.5D混合封装技术垂直堆叠16000个光子元件与电子控制芯片，通过5微米微凸点实现信号互通。这条技术路线的专利优势尤为显著——95%核心专利由中国团队持有，推动全球光子计算专利格局重塑：中国申请量占比达47%，远超美德合计不足30%的份额，英特尔、IBM等巨头承认在工程化进度上落后中国至少两年。​

技术突破的背后，是中国光子芯片产业链从“单点突破”向“生态协同”的高质量发展转型，长三角与武汉光谷形成差异化布局。​

制造能力突破成为产业升级的核心支撑。CHIPX建成的中国首条光子芯片中试线，实现从设计、晶圆制备到封装测试的全技术闭环，通过全球首个光子芯片全链垂直大模型LightSeek，将设计验证从“数周”压缩至“分钟级”。这条中试线不仅是生产载体，更成为生态孵化器：已孵化12家初创企业，推动薄膜铌酸锂、氮化镓等关键材料国产化率提升30%。长三角“光芯走廊”同步崛起：芯辰半导体太仓基地投产砷化镓/磷化铟产线，年产8000万颗激光芯片，其DFB芯片通过头部企业验证填补高端空白；纵慧芯光常州基地2025年投产後，将形成年产5000万颗3英寸化合物芯片的产能，其VCSEL芯片累计出货已突破3亿颗。​

区域协同与政策支持强化发展动能。江苏省设立50亿元光电芯片专项基金，苏州明确2027年培育3家百亿级光子企业的目标；武汉光谷聚焦高功率激光芯片，鑫威源突破氮化镓激光技术，实现450nm蓝光芯片国产化，依托“光芯屏端网”产业链形成军用技术转化优势。资本市场同步发力：铌奥光电完成近亿元A+轮融资投向薄膜铌酸锂量产，纵慧芯光获国开制造业基金领投的数亿元融资，兆驰股份斥资10亿元布局光通信全产业链，2024年至今该领域融资规模已超80亿元。​

中国光子芯片在部分领域实现“换道超车”，但整体仍处于“高端突破、中低端追赶”的全球竞争态势。​

技术话语权显著提升体现在三大维度：一是原创突破引领，“玉衡”芯片、光量子计算架构等成果发表于《自然》等顶刊，获国际同行认可；二是标准制定参与度提高，CHIPX的光量子芯片封装规范已被IEEE纳入国际标准草案；三是专利与产业落地并重，不仅专利数量全球第一，TuringQGen2等产品更实现商用化，与IBM的量子计算机形成直接竞争。​

市场供需的结构性矛盾则反映发展短板。在光纤通信芯片领域，全球90%市场由光迅、Lumentum等五家企业垄断，国内呈现“低速自主、高速依赖”特征：25G芯片自给率超50%，但良率比国际大厂低15-20%；100G以上高端芯片国产化率不足5%，去年全球1.1亿片100G芯片销量中，美日企业占95%。需求端的矛盾更为突出：中国占全球400G以下光芯片需求近1/3、800G以上需求20%，但核心芯片高度依赖进口，仅下游封装模块具备全球竞争力。

材料与工艺瓶颈仍是主要制约。磷化铟外延生长、高温稳定性控制等核心工艺尚未完全突破，100GEML芯片量产良率仅为国际水平的60%；高端镀膜设备、特种光纤等上游材料，仍有70%依赖进口。不过行业普遍认为，随着中试线工艺成熟与IDM模式普及，未来两年100G芯片国产化率有望提升至30%，800G芯片实现量产突破。​

从清华大学的实验室创新到长三角的产业集群，中国光子芯片正走出一条“基础研究—中试转化—产业应用”的特色路径。“玉衡”芯片的星空探索与TuringQGen2的产业落地，印证光子技术从“科学梦”到“生产力”的跨越。尽管高端芯片、核心材料等“卡脖子”问题仍存，但47%的全球专利占比、首条自主中试线的建成，已标志中国从“光子芯片进口国”向“规则制定参与者”转型。正如SEMI报告所言，这场光引发的算力革命中，中国正以“突破关键技术、构建产业生态、参与全球治理”的三重路径，成为全球光子科技格局的关键支点。

法律顾问：

世界5A级50强律师事务所-浙江智仁，汤云周律师；黄新发律师

世界5A级第1强律师事务所-（北京）德恒，（杭州）张婷律师